9981Твердые пленки карбида кремния SiCx ионно-лучевыми методами получены физиками КБТУ. Ученые установили новые закономерности по влиянию радиационной, термической и плазменной обработки на состав, процессы кристаллизации и структуру слоев. Руководитель темы — ВНС, д.ф.-м.н. Бейсенханов Н.Б.
Новизна проекта заключается в обработке пластин монокристаллического кремния ориентации (100) производства Taiwan, а также пленок аморфного карбида кремния SiC0,7, синтезированного методом ионной имплантации, в высокочастотной (96 МГц, 20 Вт, 5 минут) водородной плазме тлеющего разряда, что приводит к уменьшению плотности поверхности путем проникновением водорода в кремний.
Авторы проекта предлагают использовать слои SiC и нанокристаллов кремния в качестве твердых покрытий при изготовлении буров для бурения нефтескважин, в качестве прозрачного оконного слоя или антиотражающего слоя тонкопленочных солнечных батарей. Пленки SiC, обладающие радиационной стойкостью, имеют преимущество при использовании в условиях космического пространства, увеличивают КПД солнечных элементов в 1,3 раза. Планируется также создание пленок с нано-, поли- и монокристаллической структурой для применения в тонкопленочных солнечных элементах.

ссылка на статью: http://nauka.kz/page.php?page_id=16&lang=1&news_id=7567